芯片专利连续5年全球第一，芯片产品却严重依赖进口
2016年的最后一天，长江存储基地开工了，国产存储器芯片开始踏上奋起直追的历程，前途未卜。
长江存储的前生武汉新芯在此之前已经走过10年国产芯片的历程，收效甚微，在持续亏损的情况下，技术上亦未取得重大突破。此次合并，投资240亿美元，外行看热闹，但业界并不看好，“技术不是有钱就能买到的”。
互联网、物联网、大数据等信息技术的广泛应用，必然离不开对其核心“发动机”芯片的需求，但是目前我国芯片已成为第一大进口商品，95%以上的芯片依赖进口，进口额超过石 油，每年进口额超过万元人民币，其中存储器芯片占到近3成，也就是说，我国在芯片领域的核心技术几乎处于空白。
我国芯片专利申请的数量是第一大国，过去18年，全球芯片专利数量实现了6倍增长，中国芯片专利实现了23倍增长，并且专利数量已经是连续5年蝉联全球第一，拥有如此过的专
利，但芯片产品却严重依赖进口，不得不说专利数量连续5年全球第一，是一个令人尴尬的成绩，专利水分太重，核心技术几乎空白。
2014年6月发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》，以及“制造强国“战略第一个十年计划——《中国制造2025》明确提出的“突破关系国家信息与网络安全及电子整机产业发
展的核心通用芯片，提升国产芯片的应用适配能力”等；国家如此专注做芯片的高度不仅仅是为了产业，更为重要的是提升到了国家安全的高度，同时存储芯片则是发展的重中之重，特别是中国存储芯片市场迅猛发展，市场增长远超全球水平，世界巨头三星、INTEL等纷纷在中国设厂。
今年紫光与武汉新芯合并，成立长江存储器，投资240亿美元建立存储器生产基地。代表国家战略布局的紫光集团，此次合并武汉新芯这家巨亏企业，更为看中武汉新芯在存储芯片
领域的技术，武汉新芯2006年由湖北省政府和武汉市政府共同投资100亿元设立，是目前我国唯一一家以存储器为主的集成电路制造企业，从战略布局上，湖北省、武汉市具有着远
见卓识，选择了一条世界级的赛道，但磨剑10年却收效甚微，技术上未获得突破，经营上长期亏损。
2013年，武汉新芯收购美国Spansion公司，获得该公司3D NAND Flash技术，目前，2D存储芯片已经接近摩尔定律边界，基于该技术的芯片制程虽然容量在扩大，但是稳定性和良品率却在下降，无法取得突破，3D NAND Flash技术成为是主流，成本更低、容量扩大，三星、INTEL、东芝等公司是主领导者，并且三星公司已经量产了。
武汉新芯经过近10年研究，技术上并未获得突破，没有办法，通过购买获得3D NAND Flash，相对国外而言只是二流技术，目前三星可以达到48层，美国Spansion公司的仅仅只有8 层，这可能也是武汉新芯一直不对外发布关于技术层数的消息，虽然是有8层，但已经是国产自主技术里的最先进的。
面对中国存储芯片的高速成长，长江存储240亿美元投资，看上去数额很大，实际上三星、SK海力士、美光今年资本支出规划分别达到151亿美元、51亿美元、38亿美元，仅就投资 规模而言，并未与海外巨头拉开差距。
可以说，长江存储面对的是一个竞争十分激烈的市场，三星在西安设厂，INTE在大连布局，长江存储无论在技术还是资金上均不占优势，如何实现突围？令人担忧。2018年， 长江存储投产，短时间来看，国外巨头不可能将最领先的技术转让，只能期待长江存储苦练内功，来实现超越。
市场竞争就是技术的竞争，技术的竞争核心落脚在人才的竞争，如何能拥有最高端人才，一种是靠挖，一种是靠培养，挖来需要有好的环境，培养更需要好的科研创新体制，否则要靠技术去获得市场只能是空谈。
