存储器分为两种，一种是易失性存储（以SRAM存储器和DRAM存储器为代表），另一种是非易失性存储。当前市场上主流的存储器就三大类，分别是DRAM存储器、NAND闪存（NAND Flash）和NOR闪存（NOR Flash）。并且，近些年来，厂商们对DRAM存储器和NAND闪存的需求量甚多。

如果回看存储芯片的发展史，就该知道，DRAM存储器和NOR存储器都最先是由英特尔研发出来的，NAND存储器则是由东芝开发出来的。随着互联网、通信与消费电子等行业一直朝着更高层次发展，人们不仅对智能手机和电脑等产品的需求量大增，还对这些产品的（性能）要求越来越高。于是，存储芯片行业也随之迅猛地发展。一年下来，存储器的产值已经增加到了700多亿美元，这在半导体的总产值中占了差不多四分之一的比率。DRAM存储芯片和NAND闪存芯片的产值之和又在存储器的产值中占去了90%左右的比率。

DRAM存储芯片这一市场基本是被三星、海力士和美光三家大厂瓜分。而NAND闪存芯片这个市场上的玩家主要就六家，分别是三星、海力士、美光、东芝、西部数据和英特尔。目前，国际上的DRAM存储器已经到了20nm节点以下，三星、海力士和美光已相继规划出了量产1x nm节点的DRAM存储芯片。至于NAND存储器，2D NAND闪存芯片已到了1z nm的阶段。比如，三星的14nm、海力士的13nm、美光的15nm和东芝的12nm 的NAND闪存，皆在2015年量产。从2014年起，3D NAND技术被厂商们应用到了闪存芯片行业中来，三星和西部数据都已量产了64层堆栈（512Gb）的3D NAND闪存芯片。

数个月前，中科院的刘明院士在福建举办的一场产业高峰论坛上，就国内的存储芯片技术现有的状况，当众做了这样的概括，“国内工业界对闪存的投入目前主要集中在NOR型闪存，在NAND型闪存领域我国的制造能力和市场占有率与国际大公司如三星、美光、东芝、海力士等相比差距巨大，国内产业界对于PRAM、MRAM、RRAM等新型存储器的直接投入很少”。刘明院士在该场论坛的现场，当众分享了自己的三个看法。一个，由于存储芯片的应用范围很广和市场规模庞大，存储芯片产业理当作为中国的战略性高技术产业之一。二个，国内的厂商们应该顺应存储芯片技术朝多元化发展的趋势，抓住国家正大力度地支持本土的半导体产业发展的机遇，想办法在技术和商业模式等方面实现突破。三个，中国要在未来成为一个科技创新型的强国，那就必须要亲自掌握一系列的核心技术，也就必须要有自己的、强大的芯片产业。

2017年11月10日，《中国电子报》在网上发表了一篇文章。《中国电子报》在该篇文章中有谈到这么三点信息。

第一，近期，兆易创新已与合肥市产业控股集团达成一项合作，双方将在合肥市经济技术开发区联合研发19nm的DRAM内存等存储芯片（12英寸晶圆）。除了兆易创新及其合肥长鑫外，国内还有长江存储和福建晋华这两大存储器研发和制造基地。现如今，这三大存储芯片基地都分别在当地加紧建设存储芯片工厂，预计最快到2018年下半年就会有存储芯片工厂开始投产。换言之，2018年便很可能会是国产存储芯片主流化发展的元年。

第二，作为合肥发展存储器的主要平台，合肥长鑫计划投入72亿美元于当地建设存储芯片工厂。未来合肥长鑫主要是研发和生产DRAM存储芯片。紫光集团旗下的长江存储，初期计划是研发和量产3D NAND闪存芯片，后期会研发DRAM内存芯片。2017年9月底，长江存储的一号生产与动力厂房便提前封顶，2018年即有望投产运营，一期产能为平均每月可产30万片的存储芯片。《中国电子报》引述长江存储CEO杨士宁的话称，“在武汉将产生距世界前沿最近的中国自主生产的存储芯片产品，满产后能供应国内存储芯片需求的50%以上”。福建晋华存储基地涉及的投资额有数百亿元人民币之多，未来主要生产DRAM存储芯片。该基地的合作方之一就是台湾地区的联华电子。联华电子于近日对外表示，预计在2018年第4季，联华电子就会完成第一阶段的DRAM存储芯片技术的研发工作。

第三，国内的三大存储芯片基地正在加紧建设厂房，未来肯定都会产出大量的存储芯片。然而，三星、海力士和美光等存储器大厂也计划在2018年起相继扩产存储芯片。一旦三星、海力士和美光等存储器大厂都扩产存储芯片，那么后面DRAM内存和NAND闪存等存储器的价格必然是会一降再降。这无疑会对国内的三大存储芯片基地的发展造成不小的压力。况且，三星、海力士和美光等存储器厂商在技术方面都要领先于国内的三大存储芯片基地。对三星、海力士和美光等存储器厂商，《中国电子报》谓为“很强势”。

结语：可以想见的是，今后的数年中，中国的三大存储芯片制造基地将与国际上的几大存储器厂商之间，在存储芯片行业中展开一场大战。所以，国内的存储器厂商们须备足“干粮”！事实上，三星和海力士等存储器厂商既不想，又害怕在这场存储芯片大战中成为最后的失败者？